STMicroelectronics fabrique les premières plaquettes en carbure de silicium de 200 mm de diamètre
27 Julho 2021 - 10:00AM
STMicroelectronics fabrique les premières plaquettes
en carbure de silicium de 200 mm de diamètre
T4380I
STMicroelectronics
fabrique les
premières plaquettes
en carbure de silicium
de 200 mm de
diamètre
La transition vers des plaquettes en 200 mm
marque une étape importante pour renforcer les capacités afin
d’accompagner les marchés de l’automobile et de l’industriel vers
l’électrification de leurs systèmes et produits.
Genève
(Suisse), le
27 juillet
2021 — STMicroelectronics
(NYSE : STM), un leader mondial des semiconducteurs
dont les clients couvrent toute la gamme des applications
électroniques, annonce avoir fabriqué les premières plaquettes non
épitaxiées (bulk wafers) en carbure de silicium (SiC) de 200 mm
(8 pouces) de diamètre destinées au prototypage de composants de
puissance de nouvelle génération sur son site de Norrköping
(Suède). La transition vers des plaquettes SiC en 200 mm marque une
étape importante pour renforcer les capacités de production pour
les programmes des clients de ST dans les secteurs de l’automobile
et de l’industriel et consolidera la position de leader de ST dans
cette technologie microélectronique de rupture qui permet de
fabriquer des circuits électroniques de puissance à la fois plus
compacts, plus légers et plus efficaces avec un coût total de
possession moins élevé.
Les premières plaquettes SiC en 200 mm
fabriquées par ST comptent parmi les premières disponibles sur le
marché mondial et sont également de très haute qualité, avec des
défauts de dislocation du cristal qui auront un impact minimum sur
les rendements de production. Cette faible défectuosité est obtenue
grâce au savoir-faire et à l’expertise hors pair acquis par
STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. (anciennement Norstel A.B.,
société acquise par ST en 2019) dans la technologie de croissance
des lingots de carbure de silicium. Outre les défis liés à la
qualité, la transition vers des substrats SiC de 200 mm requiert
une évolution des équipements de fabrication, ainsi qu’une
amélioration des performances globales de l’écosystème de support.
En collaboration avec des partenaires technologiques couvrant
l’ensemble de la chaîne d’approvisionnement, ST développe ses
propres équipements et filières de fabrication SiC en 200 mm.
Actuellement, ST fabrique ses produits STPOWER
de pointe en carbure de silicium en grands volumes sur deux lignes
de fabrication de 150 mm installées dans ses usines de Catane
(Italie) et d’Ang Mo Kio (Singapour), les opérations d’assemblage
et de test étant effectuées sur ses sites de back-end situés à
Shenzhen (Chine) et Bouskoura (Maroc). Cette étape marque un jalon
dans l’évolution prévue par la Société vers la production en volume
de plaquettes SiC de 200 mm plus avancées et plus rentables. Cette
transition s’inscrit dans le cadre du plan en cours de ST visant à
construire une nouvelle usine de substrats SiC et à assurer
l’approvisionnement de plus de 40 % de ses substrats SiC en
interne d’ici 2024.
« Le passage à des plaquettes SiC de 200 mm
apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs de
l’automobile et de l’industriel qui accélèrent la transition vers
l’électrification de leurs systèmes et de leurs produits » a
déclaré Marco Monti, Président Groupe Produits Automobiles et
Discrets de STMicroelectronics. « Il est important de réaliser
des économies d’échelle à mesure qu’augmentent les volumes de
produits. La création d’un solide savoir-faire au sein de notre
écosystème SiC interne d’un bout à l’autre de la chaîne de
fabrication, c’est-à-dire des substrats SiC de haute qualité
jusqu’à la production en front-end et back-end à grande échelle,
renforce notre flexibilité et nous permet de mieux maîtriser
l’augmentation du rendement de production et la qualité de nos
plaquettes. »
Notes à l’attention
des rédacteursLe carbure de silicium est
un matériau semi-conducteur composé dont les propriétés
intrinsèques assurent des performances et un rendement plus élevé
que le silicium dans les applications de puissance clés à forte
croissance telles que l’électromobilité (e-mobility) et les
processus industriels. Le leadership de ST dans la technologie SiC
est le fruit de 25 années de travail et d’engagement en R&D,
avec plus de 70 brevets à la clé. Cette technologie de rupture
permet de convertir l’énergie avec une plus grande efficacité, de
réaliser des designs plus légers et plus compacts, ainsi que de
réduire le coût global de conception des systèmes — autant de
paramètres et de facteurs décisifs pour le succès des systèmes
automobiles et industriels. Les plaquettes de 200 mm augmentent la
capacité de production avec une surface utile pour la fabrication
de circuits intégrés près de deux fois supérieure à celle des
plaquettes de 150 mm, ce qui permet de produire de 1,8 à 1,9 fois
plus de puces fonctionnelles.
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 46 000 créateurs et fabricants de
technologies microélectroniques. Nous maîtrisons toute la chaîne
d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de
production de pointe. En tant que fabricant de composants
indépendant, nous collaborons avec plus de 100 000 clients et
des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des
produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs
défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde
plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, et un déploiement à grande échelle de l’Internet des
objets (IoT) et de la 5G.Pour de plus amples informations, visitez
le site www.st.com.
Pour plus d’information : Contact presse
:Nelly Dimey Tél : 01.58.07.77.85Mobile :
06.75.00.73.39nelly.dimey@st.com
Relations avec les InvestisseursCéline
BerthierTél : +41.22.929.58.12celine.berthier@st.com
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