STMicroelectronics annonce la construction d’une unité intégrée de fabrication de substrats en carbure de silicium en Italie
05 Outubro 2022 - 3:00AM
STMicroelectronics annonce la construction d’une unité intégrée de
fabrication de substrats en carbure de silicium en Italie
STMicroelectronics annonce la
construction d’une unité intégrée de fabrication de substrats en
carbure de silicium en Italie
- Première usine du genre pour la fabrication de substrats
épitaxiés* en carbure de silicium (SiC) en Europe.
- Une intégration verticale complète pour renforcer
l’approvisionnement en substrats pour les solutions et composants
en SiC permettant aux clients de l’automobile et de l’industriel
d’évoluer vers l’électrification et une efficacité énergétique
accrue.
Genève (Suisse), le 5 octobre
2022 — STMicroelectronics (NYSE : STM),
un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent
toute la gamme des applications électroniques, construira en Italie
une unité intégrée de fabrication de substrats en carbure de
silicium (SiC) dans le but de répondre à la demande croissante en
composants SiC de ses clients pour les applications des secteurs de
l’automobile et de l’industriel dans le cadre de la transition vers
l’électrification et de la poursuite d’un rendement énergétique
accru. La production devrait démarrer en 2023, permettant
d’équilibrer l’approvisionnement en substrats SiC entre la
fabrication interne et l’achat à des fournisseurs.
Construite sur le site ST de Catane
(Sicile-Italie) à côté de l’actuelle unité de fabrication de
composants SiC, cette usine de production de substrats en SiC sera
la première du genre en Europe pour la production en volumes de
substrats épitaxiés en 150 mm en carbure de silicium, intégrant
toutes les étapes du flux de production. ST s’est engagé à
développer des plaquettes en 200 mm dans un futur proche.
Ce projet représente une étape clé dans
l’évolution de la stratégie d’intégration verticale de ST pour ses
activités SiC. L’investissement de 730 millions d’euros sur cinq
ans, bénéficiera du soutien financier de l’État italien dans le
cadre du plan national de relance et de résilience (National
Recovery and Resilience Plan) et environ 700 emplois directs
supplémentaires seront créés lorsque l’unité sera à pleine
capacité.
« ST transforme ses activités de
fabrication à l’échelle mondiale, avec des capacités
supplémentaires en production de plaquettes de 300 mm et en
mettant tout particulièrement l’accent sur les semiconducteurs à
grand gap, pour réaliser son ambition d’atteindre un chiffre
d’affaires de 20 milliards de dollars et au-delà. Nous
étendons nos activités à Catane, le centre de notre expertise dans
le domaine des semiconducteurs de puissance où nous avons d’ores et
déjà intégré les activités de recherche, de développement et de
fabrication de composants en SiC avec une solide collaboration avec
des entités de recherche, des universités et des fournisseurs
italiens », a déclaré Jean-Marc Chéry, Président du Directoire
et Directeur Général de STMicroelectronics. « Cette nouvelle
unité jouera un rôle clé vers l’intégration verticale de nos
activités dans le domaine du carbure de silicium, renforçant notre
capacité d’approvisionnement en substrats SiC à mesure que nous
continuons d’augmenter les volumes au bénéfice de nos clients des
secteurs de l’automobile et de l’industriel et de leur transition
vers l’électrification et la poursuite d’une efficacité énergétique
accrue. »
Le leadership de ST dans le domaine du carbure
de silicium est le fruit de 25 années d’efforts et d’engagements en
faveur de la R&D avec un large portefeuille de brevets clés.
Depuis longtemps, Catane joue un rôle important dans la capacité
d’innovation de ST en tant que lieu des principales activités
de R&D et de fabrication en SiC du Groupe, contribuant avec
succès au développement de nouvelles solutions permettant de
produire des composants SiC avec une qualité et des volumes
croissants. S’appuyant sur un écosystème solidement établi dans le
domaine de l’électronique de puissance, avec notamment une
collaboration fructueuse à long terme entre ST et différentes
parties prenantes (l’Université, le Conseil national italien de la
recherche (CNR) et plusieurs entreprises participant à la
fabrication d’équipements et de produits), ainsi que sur un vaste
réseau de fournisseurs, cet investissement renforcera le rôle de
Catane en tant que centre de compétences mondial pour la
technologie en carbure de silicium et pour de nouvelles
opportunités de croissance.
Les produits STPOWER en carbure de silicium
haute performance de ST sont actuellement fabriqués dans les usines
ST de Catane (Italie) et d’Ang Mo Kio (Singapour), tandis que les
activités d’assemblage et de test sont assurées par les sites
Back-End de Shenzhen (Chine) et de Bouskoura (Maroc).
L’investissement dans cette unité de fabrication de substrats en
SiC capitalise sur cette expertise et marque une étape majeure pour
ST qui ambitionne de disposer en interne d’une capacité de
fabrication permettant d’atteindre 40 % de ses besoins en
substrats d’ici 2024.
*La croissance par épitaxie (ou simplement épitaxie) est la
première étape du processus qui a lieu sur le substrat pour
fabriquer des dispositifs de puissance et qui détermine les
caractéristiques finales du dispositif à fabriquer.
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 48 000 créateurs et
fabricants de technologies microélectroniques. Nous maîtrisons
toute la chaîne d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos
sites de production de pointe. En tant que fabricant de composants
intégré, nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des
milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des
produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs
défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde
plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, et un déploiement à grande échelle de l’Internet des
objets (IoT) et de la connectivité. ST s’est engagé à atteindre la
neutralité carbone d’ici 2027. Pour de plus amples informations,
visitez le site www.st.com.
Pour plus d’informations, contacter
:Contact presse Nelly Dimey Tél :
01.58.07.77.85 Mobile : 06.75.00.73.39 nelly.dimey@st.com
Relations avec les InvestisseursCéline
BerthierTél : +41.22.929.58.12celine.berthier@st.com
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