STMicroelectronics et Soitec annoncent leur coopération dans la
technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium
-
L’accord porte sur la qualification de la technologie de Soitec
pour la production future de substrats SiC de diamètre de
200 mm.
-
Cette technologie-clé pour les semiconducteurs permet d’accompagner
la transition vers l’électromobilité, ainsi que d’améliorer
l’efficacité énergétique des systèmes industriels.
Genève (Suisse) et Bernin (France), le
1er décembre 2022 — STMicroelectronics (NYSE :
STM), un leader mondial des semiconducteurs, dont les
clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et
Soitec (Euronext Paris), leader dans la conception
et la fabrication de matériaux semiconducteurs innovants, annoncent
la prochaine étape de leur coopération relative aux substrats en
carbure de silicium (SiC) avec la qualification par ST de la
technologie de production de substrats en SiC de Soitec. L’objectif
de cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, est
l’adoption par ST de la technologie SmartSiC™ de Soitec pour sa
fabrication future de substrats en 200 mm destinés à la production
de produits et de modules, avec une production en volume prévue à
moyen terme.
« La transition vers des plaquettes SiC en
200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des
secteurs de l’automobile et de l’industriel qui accélèrent la
transition vers l’électrification de leurs systèmes et de leurs
produits. Il est important de réaliser des économies d’échelle à
mesure qu’augmentent les volumes de produits », a déclaré
Marco Monti, Président du Groupe Produits Automobiles et Discrets
de STMicroelectronics. « Nous avons choisi un modèle d’intégration
verticale afin de maximiser notre savoir-faire d’un bout à l’autre
de la chaîne de fabrication, c’est-à-dire des substrats de haute
qualité jusqu’à la production en front-end et en back-end à grande
échelle. L’objectif de cette coopération technologique avec Soitec
est de continuer à améliorer les rendements de production et la
qualité. »
« L’industrie automobile traverse une phase de
rupture majeure avec l’avènement des véhicules électriques. Notre
technologie de pointe SmartSiC™, qui adapte notre technologie
unique SmartCut™ aux circuits intégrés en carbure de silicium,
jouera un rôle clé dans l’accélération de leur adoption », a
déclaré Bernard Aspar, Directeur Général Adjoint de Soitec.
« L’association des substrats SmartSiC™ de Soitec à la technologie
de pointe et à l’expertise acquise par STMicroelectronics dans le
domaine des composants en carbure de silicium révolutionne la
fabrication des circuits intégrés pour applications automobiles en
établissant de nouveaux standards. »
Le carbure de silicium (SiC) est un composé
semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent
des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans
les applications de puissance clés à forte croissance, telles que
l’électromobilité et les processus industriels. Cette technologie
permet de convertir l’énergie avec une plus grande efficacité, de
réaliser des designs plus légers et plus compacts, ainsi que de
réduire le coût global de conception des systèmes — autant de
paramètres et de facteurs décisifs pour le succès des systèmes
automobiles et industriels. La transition des plaquettes de 150 mm
à 200 mm va permettre d’augmenter la capacité de production de
façon significative avec une surface utile pour la fabrication de
circuits intégrés près de deux fois plus élevée et, par conséquent,
de produire de 1,8 à 1,9 fois plus de puces par plaquette.
SmartSiC™ est une technologie propriétaire de
Soitec qui utilise la technologie propriétaire SmartCut™ de Soitec
visant à découper une couche ultra-mince dans une tranche en SiC
« donneuse » de haute qualité en vue de la transférer sur une
tranche en carbure de silicium polycristallin (polySiC) de faible
résistivité. Le substrat ainsi obtenu améliore les performances du
substrat et les rendements de production. La tranche SiC
« donneuse » de haute qualité peut être réutilisée plusieurs fois,
ce qui réduit de façon significative la consommation d’énergie
globale que requiert sa production.
PR N°C3139C
STMicroelectronics et Soitec annoncent
leur coopération dans la technologie de fabrication de substrats en
carbure de silicium
- L’accord porte sur la qualification
de la technologie de Soitec pour la production future de substrats
SiC de diamètre de 200 mm.
- Cette technologie-clé pour les
semiconducteurs permet d’accompagner la transition vers
l’électromobilité, ainsi que d’améliorer l’efficacité énergétique
des systèmes industriels.
Genève (Suisse) et Bernin (France), le
1er décembre 2022 —
STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial
des semiconducteurs, dont les clients couvrent toute la gamme des
applications électroniques, et Soitec (Euronext
Paris), leader dans la conception et la fabrication de
matériaux semiconducteurs innovants, annoncent la prochaine étape
de leur coopération relative aux substrats en carbure de silicium
(SiC) avec la qualification par ST de la technologie de production
de substrats en SiC de Soitec. L’objectif de cette coopération, qui
porte sur les 18 prochains mois, est l’adoption par ST de la
technologie SmartSiC™ de Soitec pour sa fabrication future de
substrats en 200 mm destinés à la production de produits et de
modules, avec une production en volume prévue à moyen terme.
« La transition vers des plaquettes SiC en
200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des
secteurs de l’automobile et de l’industriel qui accélèrent la
transition vers l’électrification de leurs systèmes et de leurs
produits. Il est important de réaliser des économies d’échelle à
mesure qu’augmentent les volumes de produits », a déclaré
Marco Monti, Président du Groupe Produits Automobiles et Discrets
de STMicroelectronics. « Nous avons choisi un modèle d’intégration
verticale afin de maximiser notre savoir-faire d’un bout à l’autre
de la chaîne de fabrication, c’est-à-dire des substrats de haute
qualité jusqu’à la production en front-end et en back-end à grande
échelle. L’objectif de cette coopération technologique avec Soitec
est de continuer à améliorer les rendements de production et la
qualité. »
« L’industrie automobile traverse une phase de
rupture majeure avec l’avènement des véhicules électriques. Notre
technologie de pointe SmartSiC™, qui adapte notre technologie
unique SmartCut™ aux circuits intégrés en carbure de silicium,
jouera un rôle clé dans l’accélération de leur adoption », a
déclaré Bernard Aspar, Directeur Général Adjoint de Soitec.
« L’association des substrats SmartSiC™ de Soitec à la technologie
de pointe et à l’expertise acquise par STMicroelectronics dans le
domaine des composants en carbure de silicium révolutionne la
fabrication des circuits intégrés pour applications automobiles en
établissant de nouveaux standards. »
Le carbure de silicium (SiC) est un composé
semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent
des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans
les applications de puissance clés à forte croissance, telles que
l’électromobilité et les processus industriels. Cette technologie
permet de convertir l’énergie avec une plus grande efficacité, de
réaliser des designs plus légers et plus compacts, ainsi que de
réduire le coût global de conception des systèmes — autant de
paramètres et de facteurs décisifs pour le succès des systèmes
automobiles et industriels. La transition des plaquettes de 150 mm
à 200 mm va permettre d’augmenter la capacité de production de
façon significative avec une surface utile pour la fabrication de
circuits intégrés près de deux fois plus élevée et, par conséquent,
de produire de 1,8 à 1,9 fois plus de puces par plaquette.
SmartSiC™ est une technologie propriétaire de
Soitec qui utilise la technologie propriétaire SmartCut™ de Soitec
visant à découper une couche ultra-mince dans une tranche en SiC
« donneuse » de haute qualité en vue de la transférer sur une
tranche en carbure de silicium polycristallin (polySiC) de faible
résistivité. Le substrat ainsi obtenu améliore les performances du
substrat et les rendements de production. La tranche SiC
« donneuse » de haute qualité peut être réutilisée plusieurs fois,
ce qui réduit de façon significative la consommation d’énergie
globale que requiert sa production.
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 48 000 créateurs et fabricants de technologies
microélectroniques. Nous maîtrisons toute la chaîne
d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de
production de pointe. En tant que fabricant de composants intégré,
nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de
partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits, des
solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs défis et
opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde plus
durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, et un déploiement à grande échelle de l’Internet des
objets (IoT) et de la connectivité. ST s’est engagé à atteindre la
neutralité carbone d’ici 2027. Pour de plus amples informations,
visitez le site www.st.com.
À propos de Soitec
Soitec (Euronext, Tech 40 Paris) est un leader
mondial de la production de matériaux semi-conducteurs innovants.
L’entreprise s’appuie sur ses technologies uniques pour servir les
marchés de l’électronique. Avec plus de 3 700 brevets, elle mène
une stratégie d’innovations disruptives pour permettre à ses
clients de disposer de produits qui combinent performance,
efficacité énergétique et compétitivité. Soitec compte des sites
industriels, des centres de R&D et des bureaux commerciaux en
Europe, aux États-Unis et en Asie. Pleinement engagé vers un
développement durable, Soitec a adopté en 2021 sa raison d’être
pour refléter ses engagements : « Nous sommes le terreau innovant
de technologies intelligentes et économes en énergie, qui
transforment durablement nos vies quotidiennes. »
Soitec, SmartSiC™ et SmartCut™ sont des marques déposées de
Soitec.
Contacts
:STMicroelectronicsRelations
presseNelly Dimey Tél : +33 1 58 07 77 85Mobile : 06 75 00 73
39nelly.dimey@st.com
Relations avec les investisseurs : Céline Berthier Group VP,
Investor Relations Tél : +41.22.929.58.12
Celine.berthier@st.com
SoitecCommunicationCaroline SasiaSenior Vice
President, Communication & Chief of StaffTél : 06 11 30 36
71caroline.sasia@soitec.com
Relations InvestisseursSteve BabureckSenior Vice President,
Stratégie & Relations InvestisseursTél : 06 16 38 56
27steve.babureck@soitec.com
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 48 000 créateurs et
fabricants de technologies microélectroniques. Nous maîtrisons
toute la chaîne d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos
sites de production de pointe. En tant que fabricant de composants
intégré, nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des
milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des
produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs
défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde
plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, et un déploiement à grande échelle de l’Internet des
objets (IoT) et de la connectivité. ST s’est engagé à atteindre la
neutralité carbone d’ici 2027. Pour de plus amples informations,
visitez le site www.st.com.
À propos de Soitec
Soitec (Euronext, Tech 40 Paris) est un leader
mondial de la production de matériaux semi-conducteurs innovants.
L’entreprise s’appuie sur ses technologies uniques pour servir les
marchés de l’électronique. Avec plus de 3 700 brevets, elle mène
une stratégie d’innovations disruptives pour permettre à ses
clients de disposer de produits qui combinent performance,
efficacité énergétique et compétitivité. Soitec compte des sites
industriels, des centres de R&D et des bureaux commerciaux en
Europe, aux États-Unis et en Asie. Pleinement engagé vers un
développement durable, Soitec a adopté en 2021 sa raison d’être
pour refléter ses engagements : « Nous sommes le terreau innovant
de technologies intelligentes et économes en énergie, qui
transforment durablement nos vies quotidiennes. »
Soitec, SmartSiC™ et SmartCut™ sont des marques déposées de
Soitec.
Contacts
:STMicroelectronicsRelations presseNelly
Dimey Tél : +33 1 58 07 77 85 Mobile : 06 75 00 73 39
nelly.dimey@st.com
Relations avec les investisseurs : Céline Berthier Group VP,
Investor Relations Tél : +41.22.929.58.12
Celine.berthier@st.com
SoitecCommunicationCaroline SasiaSenior Vice
President, Communication & Chief of StaffTél : 06 11 30 36
71caroline.sasia@soitec.com
Relations InvestisseursSteve BabureckSenior Vice President,
Stratégie & Relations InvestisseursTél : 06 16 38 56
27steve.babureck@soitec.com
- STMicroelectronics et Soitec annoncent leur coopération dans la
technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium
ST Microelectronics (BIT:STM)
Gráfico Histórico do Ativo
De Mar 2024 até Abr 2024
ST Microelectronics (BIT:STM)
Gráfico Histórico do Ativo
De Abr 2023 até Abr 2024