STMicroelectronics franchit la barrière des 20 nm avec des microcontrôleurs de nouvelle génération au coût compétitif
19 Março 2024 - 8:30AM
STMicroelectronics franchit la barrière des 20 nm avec des
microcontrôleurs de nouvelle génération au coût compétitif
STMicroelectronics franchit la barrière
des 20 nm avec des microcontrôleurs de nouvelle génération au coût
compétitif
- Des échantillons du premier microcontrôleur de la famille STM32
utilisant une nouvelle technologie seront fournis à des clients
privilégiés au deuxième semestre 2024.
- La technologie FD-SOI en 18 nanomètres avec mémoire à
changement de phase embarquée (ePCM) permet de réaliser une avancée
en matière de performance et de consommation
énergétique.
Genève (Suisse), le 19 mars
2024 — STMicroelectronics (NYSE : STM),
un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent
toute la gamme des applications électroniques, annonce un process
avancé en technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator)
de 18 nanomètres avec mémoire à changement de phase embarquée (ePCM
— embedded Phase Change Memory) destiné aux dispositifs de
traitement embarqués de nouvelle génération. Cette nouvelle
technologie de semiconducteurs, co-développée par ST et Samsung
Foundry, permet de réaliser une avancée en matière de performance
et de consommation énergétique pour des applications de traitement
embarquées, tout en permettant d’utiliser des mémoires de capacités
plus importantes et d’élever le niveau d’intégration des
périphériques analogiques et numériques. Les échantillons du
premier microcontrôleur STM32 de nouvelle génération basé sur cette
nouvelle technologie seront livrés à des clients privilégiés au
second semestre 2024, l’entrée en production étant prévue au cours
du second semestre 2025.
Rémi El-Ouazzane, Président du groupe
Microcontrôleurs, Circuits Intégrés Numériques et Produits RF de
STMicroelectronics, a déclaré : « En tant qu’entreprise à la pointe
de l’innovation dans l’industrie des semiconducteurs, ST a joué un
rôle de pionnier en proposant à ses clients les technologies FD-SOI
et PCM pour les applications automobiles et aéronautiques. Nous
franchissons aujourd’hui une nouvelle étape en permettant aux
développeurs d’applications industrielles de bénéficier des
avantages de ces technologies en commençant par nos
microcontrôleurs STM32 de nouvelle génération. »
Principaux avantages de la technologie
Par rapport à la technologie avec mémoire non
volatile embarquée (eNVM) en 40 nm de ST, celle en FD-SOI 18 nm
avec mémoire ePCM apporte des améliorations considérables :
- un rapport performances/consommation
amélioré de plus de 50 %,
- une densité de
mémoire non volatile (NVM) 2,5 fois supérieure qui permet
d’utiliser des mémoires embarquées de capacités plus
importantes,
- une densité
digitale trois fois plus élevée pour l’intégration de périphériques
numériques tels que des accélérateurs graphiques ou d’intelligence
artificielle, ainsi que des fonctionnalités de sûreté et de
sécurité à la pointe,
- une amélioration
de 3 dB du facteur de bruit, avec à la clé des performances RF
supérieures pour les microcontrôleurs sans fil.
La technologie peut fonctionner sous une tension
de 3 V pour alimenter les fonctions analogiques telles que la
gestion de l’alimentation, les systèmes de réinitialisation, les
sources d’horloge et les convertisseurs numériques/analogiques.
C’est actuellement la seule technologie de dimension inférieure à
20 nm à prendre en charge cette fonctionnalité. La technologie
apporte par ailleurs le niveau de fiabilité que requièrent les
applications industrielles les plus exigeantes grâce à un
fonctionnement robuste aux températures élevées, à une résistance
aux radiations et à des capacités de conservation des données déjà
éprouvées dans les applications automobiles.
Pour toute information complémentaire sur les
technologies FD-SOI et PCM, visitez le site www.st.com.
Avantages pour les clients et les développeurs de
microcontrôleurs STM32
Les microcontrôleurs basés sur cette technologie
apporteront aux développeurs une nouvelle catégorie de
microcontrôleurs sans fil qui allient des performances élevées et
une faible consommation. Les mémoires de capacités plus importantes
répondent aux besoins croissants de traitement de l’intelligence
artificielle en périphérie (edge AI), de piles RF multi-protocoles,
de mises à jour logicielles en mode OTA (Over-The-Air) et de
fonctions de sécurité avancées. Les mémoires de capacités plus
importantes et de haute performance offriront aux développeurs
utilisant aujourd’hui des microprocesseurs l’option d’utiliser des
microcontrôleurs affichant un plus haut niveau d’intégration et à
un coût optimisé pour leurs designs. Ces mémoires leur donneront
également la possibilité d’améliorer l’efficacité énergétique des
composants ultra-basse consommation, un domaine où le portefeuille
de ST est aujourd’hui leader sur le marché.
Le premier microcontrôleur bénéficiant de cette
technologie intégrera le cœur ARM® Cortex®-M le plus avancé offrant
des performances accrues aux applications d’apprentissage
automatique (ML) et de traitement du signal numérique (DSP). Outre
des interfaces de mémoires externes rapides et flexibles, il
disposera de capacités graphiques avancées et intégrera de nombreux
périphériques analogiques et numériques. Il sera également doté des
fonctions de sécurité avancées et certifiées déjà présentes sur les
derniers microcontrôleurs de ST.
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de
technologies microélectroniques. Nous maîtrisons toute la chaine
d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de
production de pointe. En tant que fabricant intégré de composants,
nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de
partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits, des
solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs défis et
opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde plus
durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, ainsi que le déploiement à grande échelle d’objets
autonomes connectés au cloud. Nous sommes engagés pour atteindre
notre objectif de devenir neutre en carbone sur les scopes 1 et 2,
et une partie du scope 3, d’ici 2027. Pour de plus amples
informations, visitez le site www.st.com.
Contact presse :Nelly Dimey Tél :
01.58.07.77.85Mobile : 06.75.00.73.39nelly.dimey@st.com
- FR_CP ST 18nm FD-SOI - FINAL POUR PUBLICATION
ST Microelectronics (BIT:STM)
Gráfico Histórico do Ativo
De Jan 2025 até Fev 2025
ST Microelectronics (BIT:STM)
Gráfico Histórico do Ativo
De Fev 2024 até Fev 2025
